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元件参数资料
>
参数目录40439
> FDC6506P MOSFET P-CHAN DUAL 30V SSOT6
型号:
FDC6506P
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET P-CHAN DUAL 30V SSOT6
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
FDC6506P PDF
产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
产品变化通告
Mold Compound Change 08/April/2008
产品目录绘图
MOSFET SuperSOT-6
标准包装
1
系列
PowerTrench®
FET 型
2 个 P 沟道(双)
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
1.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
170 毫欧 @ 1.8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
3.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
190pF @ 15V
功率 - 最大
700mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商设备封装
6-SSOT
包装
剪切带 (CT)
产品目录页面
1603 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
FDC6506PCT
查看FDC6506P代理商
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